一种瞬态热阻测试方法、系统及电子设备
实质审查的生效
摘要
本申请涉及一种瞬态热阻测试方法、系统及电子设备,涉及热阻测试的领域,该方法包括若检测到加热电流断开,则采集压降数据直至达到第一预设条件,所述压降数据包括MOSFET芯片结温降低时任一时间点对应的反向PN结压降
;所述第一预设条件包括:所述MOSFET芯片的结温
降至环境温度
,绘制冷却曲线
,所述冷却曲线
为所述MOSFET芯片降温过程中结温
与时间
的关系曲线,基于所述冷却曲线
确定升温瞬态热阻变化曲线
,基于所述升温瞬态热阻变化曲线
、所述MOSFET芯片的Foster热结构网络以及所述MOSFET芯片的Foster热结构网络的拟合公式确定拟合瞬态热阻数学模型。本申请具有使得确定的MOSFET芯片的拟合瞬态热阻数学模型更准确的效果。
基本信息
专利标题 :
一种瞬态热阻测试方法、系统及电子设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114354982A
申请号 :
CN202111556574.3
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2021-12-17
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
唐毓赖耀康张鹭鹏董海建车向华
申请人 :
北京市科通电子继电器总厂有限公司
申请人地址 :
北京市大兴区北京经济技术开发区凉水河一街2号院1号楼9层
代理机构 :
北京维正专利代理有限公司
代理人 :
谢明晖
优先权 :
CN202111556574.3
主分类号 :
G01R1/04
IPC分类号 :
G01R1/04 G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R1/00
包括在G01R5/00至G01R13/00或G01R31/00组中的各类仪器或装置的零部件
G01R1/02
一般结构零部件
G01R1/04
外壳;支承构件;端子装置
法律状态
2022-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 1/04
申请日 : 20211217
申请日 : 20211217
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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