本申请涉及一种瞬态热阻测试方法、系统及电子设备，涉及热阻测试的领域，该方法包括若检测到加热电流断开，则采集压降数据直至达到第一预设条件，所述压降数据包括MOSFET芯片结温降低时任一时间点对应的反向PN结压降；所述第一预设条件包括：所述MOSFET芯片的结温降至环境温度，绘制冷却曲线，所述冷却曲线为所述MOSFET芯片降温过程中结温与时间的关系曲线，基于所述冷却曲线确定升温瞬态热阻变化曲线，基于所述升温瞬态热阻变化曲线、所述MOSFET芯片的Foster热结构网络以及所述MOSFET芯片的Foster热结构网络的拟合公式确定拟合瞬态热阻数学模型。本申请具有使得确定的MOSFET芯片的拟合瞬态热阻数学模型更准确的效果。