一种在碳化硅晶圆上涂敷胶体并划片取样的方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种碳化硅晶圆上涂敷胶体并划片取样的方法。通过在碳化硅晶圆或残片正面涂敷光刻胶等胶状材料，之后放入机械划片机划取需要的管芯、图形或位置。划取结束后去除表面光刻胶，以达到避免在机械划片过程中造成的碎屑，杂质，颗粒等物质残留在碳化硅晶圆图形表面和内部的目的。
基本信息
专利标题 ：
一种在碳化硅晶圆上涂敷胶体并划片取样的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334639A
申请号 ：
CN202111565477.0
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
盛况成骥任娜王珩宇
申请人 ：
浙江大学杭州国际科创中心
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区建设三路733号
代理机构 ：
杭州裕阳联合专利代理有限公司
代理人 ：
高明翠
优先权 ：
CN202111565477.0
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304 B05C5/02 B05C11/08 B05C13/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/304
申请日 : 20211220
申请日 : 20211220
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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