一种提高多层镀覆材料胶接性能的表面处理方法
授权
摘要

本发明公开了一种提高多层镀覆材料胶接性能的表面处理方法,涉及集成电路封装技术领域,包括设置表面处理区域图层,功率为5‑10W,频率为50‑70KHz的第一激光按照表面处理区域图层对多层镀覆材料表面进行预处理,功率为15‑20W,频率为30‑50KHz的第二激光按照表面处理区域图层进行二次处理,然后进行超声波水洗处理以及干燥处理。本发明的表面处理方法能够任意去除所需的一层或多层镀层,同时可以使胶接区域满足胶接强度要求及封装的气密性要求,有效提高多层镀覆材料的胶接性能。

基本信息
专利标题 :
一种提高多层镀覆材料胶接性能的表面处理方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113937007A
申请号 :
CN202111567609.3
公开(公告)日 :
2022-01-14
申请日 :
2021-12-21
授权号 :
CN113937007B
授权日 :
2022-04-08
发明人 :
刘伟恒陈志钊徐俊
申请人 :
广东华智芯电子科技有限公司
申请人地址 :
广东省佛山市南海区狮山镇软件园桃园路南海产业智库城一期A座A616、A618室
代理机构 :
佛山市正则青芒专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
温甲平
优先权 :
CN202111567609.3
主分类号 :
H01L21/48
IPC分类号 :
H01L21/48  H01L21/56  B23K26/0622  B23K26/352  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法,在器件组装之前制造或处理部件,例如容器
法律状态
2022-04-08 :
授权
2022-02-01 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20211221
2022-01-14 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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