一种高转换增益的图像传感器像素结构
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种高转换增益的图像传感器像素结构,包括置于半导体基体中的光电二极管101、传输晶体管103、浮动扩散节点104、复位晶体管105、源跟随器晶体管107、行选通晶体管108、电源106以及pixel输出109;通过改变浮动扩散节点104与传输晶体管103和复位晶体管105之间的交叠电容,提高电荷电压转换因子,从而提高图像传感器的灵敏度:在浮动扩散节点104与所述传输晶体管103和复位晶体管105的交叠处分别设置复位晶体管浅沟道氧化层115和传输晶体管浅沟道氧化层116,并在周围设置浅沟槽隔离117。本发明通过减少浮动扩散节点与传输晶体管和复位晶体管之间的交叠电容提高电荷电压转换因子减小输入参考噪声,提高信噪比,实现高灵敏度的图像传感器。
基本信息
专利标题 :
一种高转换增益的图像传感器像素结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114268753A
申请号 :
CN202111579267.7
公开(公告)日 :
2022-04-01
申请日 :
2021-12-22
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王菁陈多金陈杰旷章曲刘志碧田晓川程超
申请人 :
上海韦尔半导体股份有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区上科路88号豪威科技园
代理机构 :
北京凯特来知识产权代理有限公司
代理人 :
郑立明
优先权 :
CN202111579267.7
主分类号 :
H04N5/374
IPC分类号 :
H04N5/374 H04N5/3745 H01L27/146
法律状态
2022-04-19 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H04N 5/374
申请日 : 20211222
申请日 : 20211222
2022-04-01 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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