一种TiAlSiN、CrAlSiN纳米复合涂层的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种TiAlSiN、CrAlSiN纳米复合涂层的制备方法，包括以下步骤：S1：将WC‑Co基体进行机械研磨、抛光、清洗处理；S2：使用磁控溅射电源，在WC‑Co基体前溅射TiSi、CrSi靶；同时使用阴极电弧蒸发电源，在WC‑Co基体前电弧蒸发TiAl、CrAl靶，本发明基于PVD薄膜沉积等离子体特性研究理论，阴极电弧蒸发技术具有高离化特征而磁控溅射则离化率较低，使用磁控溅射电源，于基体前溅射TiSi、CrSi靶，利用磁控溅射方法获得硅沉积源，其Si+能量、离化率均较低，则其扩散能力较弱而利于其处于晶界或界面处，最终利于非晶SiNx界面相的生产；使用阴极电弧蒸发电源，于基体前电弧蒸发TiAl、CrAl靶，有利于实现Ti、Cr、Al的高离化，从而易于形成固溶体晶粒且力学性能优异。
基本信息
专利标题 ：
一种TiAlSiN、CrAlSiN纳米复合涂层的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114369800A
申请号 ：
CN202111580522.X
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴正涛王启民李海庆
申请人 ：
广东工业大学
申请人地址 ：
广东省广州市东风东路729号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
郝传鑫
优先权 ：
CN202111580522.X
主分类号 ：
C23C14/32
IPC分类号 ：
C23C14/32 C23C14/35 C23C14/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/32
爆炸法；蒸发及随后的气化物电离法
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/32
申请日 : 20211222
申请日 : 20211222
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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