一种提高IGBT静态与动态雪崩能力的制备方法
实质审查的生效
摘要
一种提高IGBT静态与动态雪崩能力的制备方法。涉及一种功率半导体器件的制备工艺，尤其涉及一种提高IGBT静态与动态雪崩能力的制备方法。本发明通过背面注入Se元素，利用Se元素推结温度低，推结速度快等特点，并结合激光退火技术，实现背面缓冲层，其缓冲层N型分布主要受激光退火温度影响，激光退火有明显表面高，垂直硅片向内逐渐降低的温度场分布，形成的N型缓冲层较氢注入更为理想，更接近推结效果，有利于在保持现有芯片动静态参数能力情况下，提高其静态和动态雪崩能力，进而实现更好的坚固性。
基本信息
专利标题 ：
一种提高IGBT静态与动态雪崩能力的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496786A
申请号 ：
CN202111610372.2
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴迪王毅
申请人 ：
扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期
代理机构 ：
扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郭翔
优先权 ：
CN202111610372.2
主分类号 ：
H01L21/331
IPC分类号 ：
H01L21/331 H01L21/265 H01L21/324 H01L29/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/33
包括3个或更多电极的器件
H01L21/331
晶体管
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/331
申请日 : 20211227
申请日 : 20211227
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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