一种利用自偏置MOS钳位的具有晶闸管结构的IGBT器件
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种利用自偏置MOS钳位的具有晶闸管结构的IGBT器件，其也可以被视为一种集成ETO器件。所述IGBT器件的体区由交替排列的多层P型掺杂层和N型掺杂层组成，并且相邻的同种导电类型掺杂区域由另一种导电类型掺杂区域完全隔离。本发明器件利用自偏置的MOS(Q2)钳位电场屏蔽层，使传统ETO的外置控制MOS(Q1、Q2)能够单片集成到器件内部，同时，与具有载流子存储层的IGBT相比，自偏置MOS(Q2)将本发明结构中MOS(Q1)的漏极电位钳位在较低水平，从而极大地提高载流子存储层的掺杂浓度阈值，降低器件的导通压降；并且，被钳位的MOS漏极电位能够降低新结构的饱和电流，进而增大新型器件的短路安全工作区。
基本信息
专利标题 ：
一种利用自偏置MOS钳位的具有晶闸管结构的IGBT器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420744A
申请号 ：
CN202111615048.X
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈荣昕邓玉清
申请人 ：
中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区惠河路5号
代理机构 ：
无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨强
优先权 ：
CN202111615048.X
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/739 H01L27/02 H01L23/60
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211227
申请日 : 20211227
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
