一种紫外光学元件加工表面微观光伤点缺陷检测方法
实质审查的生效
摘要

一种紫外光学元件加工表面微观光伤点缺陷检测方法,它属于工程光学领域。本发明为解决现有技术中缺乏有效的微观光伤点缺陷精确辨识与检测方法的问题,本发明包括如下步骤:步骤一、确定元件加工表面尺寸最大的表面结构缺陷并完成定位;步骤二、获取步骤一定位的缺陷受不同波长激发光作用下产生的荧光发射光谱峰值强度,确定峰值强度最高的激发光波长为最佳激发光波长;步骤三、确定最佳缺陷位置;步骤四、对最佳缺陷位置受激发产生的荧光发射光谱进行高斯谱线拟合分析,确定微观光伤点缺陷的种类和权重大小;步骤五、建立元件加工表面缺陷区微观光伤点缺陷之间的演变规律及对步骤四的结果进行验证。

基本信息
专利标题 :
一种紫外光学元件加工表面微观光伤点缺陷检测方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114264640A
申请号 :
CN202111621697.0
公开(公告)日 :
2022-04-01
申请日 :
2021-12-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
程健杨丁槐陈明君赵林杰刘赫男王振华王景贺刘志超王健许乔
申请人 :
哈尔滨工业大学
申请人地址 :
黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
代理机构 :
黑龙江立超同创知识产权代理有限责任公司
代理人 :
杨立超
优先权 :
CN202111621697.0
主分类号 :
G01N21/64
IPC分类号 :
G01N21/64  G01N21/95  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段,即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/62
所测试的材料在其中被激发,因之引起材料发光或入射光的波长发生变化的系统
G01N21/63
光学激发的
G01N21/64
荧光;磷光
法律状态
2022-04-19 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 21/64
申请日 : 20211228
2022-04-01 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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