一种提高掺杂氧化铪薄膜铁电器件性能的方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种提高掺杂氧化铪薄膜铁电器件性能的方法。一种提高掺杂氧化铪薄膜铁电器件性能的方法，包括下列步骤：在半导体衬底上生长底电极；在所述底电极上生长掺杂氧化铪薄膜；在掺杂氧化铪薄膜表面先利用ALD法生长一层氮化钛；然后利用PVD法生长剩余氮化钛，形成上电极。本发明能够优化掺杂氧化铪薄膜的上表面，从而实现增大基于掺杂氧化铪薄膜铁电器件的剩余极化强度和电压耐受性。
基本信息
专利标题 ：
一种提高掺杂氧化铪薄膜铁电器件性能的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497368A
申请号 ：
CN202111625742.X
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗庆王博平
申请人 ：
北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所
申请人地址 ：
北京市大兴区经济技术开发区科创十街18号京东贝科技园11号楼4层
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
史晶晶
优先权 ：
CN202111625742.X
主分类号 ：
H01L49/02
IPC分类号 ：
H01L49/02 H01L27/11502
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 49/02
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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