提高晶圆利用率的芯片固化方法、装置、设备及存储介质
实质审查的生效
摘要

本发明涉及芯片技术领域,具体公开了一种提高晶圆利用率的芯片固化方法、装置、设备及存储介质,其中,方法包括以下步骤:将完成冗余替换后的所述裸片等分为多个存储区域;对所述裸片进行内建自测试以获取各个所述存储区域的结果信息,所述结果信息用于标记对应的所述存储区域是否可用;根据所述结果信息对所述裸片中可用的所述存储区域进行固化。该方法将裸片区分为多个存储区域,并获取所有存储区域的结果信息,再根据所有结果信息对裸片中可用的存储区域进行固化,使得该裸片的容量规格为根据相应固化的存储区域进行确定,从而使得该裸片即使存在一定数量不可用的存储区域仍能下调容量规格进行使用,以提高晶圆的利用率。

基本信息
专利标题 :
提高晶圆利用率的芯片固化方法、装置、设备及存储介质
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114283869A
申请号 :
CN202111628636.7
公开(公告)日 :
2022-04-05
申请日 :
2021-12-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
蒋双泉黎永健
申请人 :
成都博尔微晶科技有限公司;芯天下技术股份有限公司
申请人地址 :
四川省成都市自由贸易试验区成都高新区天府大道中段666号2栋8楼802号
代理机构 :
佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
陈志超
优先权 :
CN202111628636.7
主分类号 :
G11C29/04
IPC分类号 :
G11C29/04  G11C29/44  G11C29/14  G11C29/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/00
存储器正确运行的校验;备用或离线操作期间测试存储器
G11C29/04
损坏存储元件的检测或定位
法律状态
2022-04-22 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 29/04
申请日 : 20211228
2022-04-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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