一种背接触铜铟镓硒太阳电池及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种背接触铜铟镓硒太阳电池及其制造方法，提供一个透明衬底，在透明衬底上形成p型的铜铟镓硒光吸收层；在所述铜铟镓硒光吸收层表面设计交替排列的n区域和p+区域，采用掩膜的方式在所述n区域沉积n型半导体层，并在n型半导体层表面覆盖光刻胶；在所述p+区域通过掩膜沉积p+半导体层；去除光刻胶，在特定区域印刷绝缘胶，得到绝缘图案分隔开所述n型半导体层和p+半导体层；在所述n型半导体层上和p+半导体层上金属化，形成连接n型半导体层区域的金属电极α和连接p+半导体层区域的金属电极β，金属电极α和金属电极β呈插指状排布。
基本信息
专利标题 ：
一种背接触铜铟镓硒太阳电池及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361292A
申请号 ：
CN202111641401.1
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
彭寿殷新建汪元元马立云吴一民方建鹏陈瑛储静远盖琳琳
申请人 ：
中国建材国际工程集团有限公司
申请人地址 ：
上海市普陀区中山北路2000号中期大厦27层
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
罗泳文
优先权 ：
CN202111641401.1
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/0224 H01L31/032 H01L31/0749
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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