太阳电池和半导体器件以及其制造方法

专利权的终止

摘要

本发明的目的是通过使形成在太阳电池中的电极微细化，以实现太阳电池的微细化。本发明的太阳电池的制造方法，包括以下步骤：在衬底上形成第一电极层；在所述第一电极层上形成光电转换层；在所述光电转换层上形成有机材料层；在所述光电转换层中形成到达所述第一电极层的开口；在所述开口中填充导电膏以形成第二电极层，其中，所述有机材料层改变所述光电转换层的表面性质，因而增大所述导电膏和所述光电转换层的接触角。根据本发明，通过在光电转换层的表面上形成有机材料层，可以降低光电转换层的润湿性。从而，可以使电极层和绝缘分离层的形状变细。

基本信息

专利标题：

太阳电池和半导体器件以及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1825654A

申请号：

CN200610005127.8

公开（公告）日：

2006-08-30

申请日：

2006-01-12

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

西和夫青木智幸伊佐敏行藤井严

申请人：

株式会社半导体能源研究所

申请人地址：

日本神奈川

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

张浩

优先权：

CN200610005127.8

主分类号：

H01L51/48

IPC分类号：

H01L51/48 H01L51/42 H01L31/18 H01L31/042