太阳电池和半导体器件以及其制造方法
专利权的终止
摘要

本发明涉及太阳电池和半导体器件以及其制造方法,目的是通过使形成在太阳电池中的电极微细化,以实现太阳电池的微细化。本发明的太阳电池的制造方法,包括以下步骤:在衬底上形成第一电极层;在所述第一电极层上形成光电转换层;在所述光电转换层上形成有机材料层;在所述光电转换层中形成到达所述第一电极层的开口;在所述开口中填充导电膏以形成第二电极层,其中,所述有机材料层改变所述光电转换层的表面性质,因而增大所述导电膏和所述光电转换层的接触角。根据本发明,通过在光电转换层的表面上形成有机材料层,可以降低光电转换层的润湿性。从而,可以使电极层和绝缘分离层的形状变细。

基本信息
专利标题 :
太阳电池和半导体器件以及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN102522462A
申请号 :
CN201210008282.0
公开(公告)日 :
2012-06-27
申请日 :
2006-01-12
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
西和夫青木智幸伊佐敏行藤井严
申请人 :
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 :
日本神奈川
代理机构 :
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 :
屠长存
优先权 :
CN201210008282.0
主分类号 :
H01L31/18
IPC分类号 :
H01L31/18  H01L31/0224  
法律状态
2018-12-28 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20060112
授权公告日 : 20150311
终止日期 : 20180112
2015-03-11 :
授权
2012-09-05 :
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101320538148
IPC(主分类) : H01L 31/18
专利申请号 : 2012100082820
申请日 : 20060112
2012-06-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332