多层双曲超材料附近原子自发辐射率的获取方法及系统
实质审查的生效
摘要
本发明属于光学技术领域，具体涉及一种多层双曲超材料附近原子自发辐射率的获取方法，包括以下步骤：S1、建立多层双曲超材料结构的模型；S2、给出多层双曲超材料结构中的电场和磁场表达式；S3、设计多层双曲超材料的传输矩阵；S4、计算光从普通介质入射至多层双曲超材料结构的反射系数；S5、计算模型下的原子自发辐射率。本发明根据传输矩阵法获取光从真空入射到多层双曲超材料内的反射透射特性，能准确分析多层双曲超材料附近原子的自发辐射率。
基本信息
专利标题 ：
多层双曲超材料附近原子自发辐射率的获取方法及系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114329995A
申请号 ：
CN202111668370.9
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡悦曾然徐静俏李浩珍杨淑娜胡淼李齐良
申请人 ：
杭州电子科技大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市杭州经济技术开发区白杨街道2号大街1158号
代理机构 ：
浙江千克知识产权代理有限公司
代理人 ：
冷红梅
优先权 ：
CN202111668370.9
主分类号 ：
G06F30/20
IPC分类号 ：
G06F30/20 G06F17/16
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/20
设计优化、验证或模拟
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/20
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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