一种具有特殊栅电极的HEMT器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种具有特殊栅电极的HEMT器件，包括衬底结构、第一介质层、栅电极、源电极和漏电极，其中，所述衬底结构包括自下而上依次设置的衬底层、缓冲层、沟道层和势垒层；所述第一介质层设置在所述势垒层上方，且所述第一介质层上具有贯穿上下的第一开口；所述栅电极包括主体栅极和接触栅极，所述主体栅极设置在所述第一开口中，且所述主体栅极呈多个倒凸字形的叠加形状，所述主体栅极的宽度沿竖直方向自上而下呈变窄趋势；所述接触栅极设置在所述主体栅极上方。该HEMT器件具有特殊的栅电极形状，即若干个倒凸字形的叠加形状，能够获得较小的栅电极宽度，使HEMT器件达到更优越的频率特性。
基本信息
专利标题 ：
一种具有特殊栅电极的HEMT器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121824044.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-08-05
授权号 ：
CN216354229U
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
姜涛
申请人 ：
乂馆信息科技（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市虹口区海宁路137号7层
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李园园
优先权 ：
CN202121824044.8
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/423 H01L29/40
法律状态
2022-04-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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