一种利于气相沉积合成单晶金刚石测温稳定的基台
授权
摘要
本实用新型公开了一种利于气相沉积合成单晶金刚石测温稳定的基台，属于金刚石合成装置技术领域。包括有基台主体，所述基台主体上安装有用于沉积金刚石的衬底，所述基台主体的表面设置有一层用于稳定衬底红外放射率的碳膜，所述衬底与基台主体通过所述碳膜分隔。相比于现有技术：首先，本基台的碳膜能够使衬底的红外放射率较快地趋于稳定，提高了测温的准确性；其次碳膜能够增加衬底与基台之间的热传导，提高衬底与基台之间的热传导效率；再次，本实用新型的基台主体可以设置成各种形状，能够通过改变基台的形状影响单晶金刚石的生长速率、多晶控制、内部杂质和温度均匀性，提高金刚石的品质。
基本信息
专利标题 ：
一种利于气相沉积合成单晶金刚石测温稳定的基台
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122651529.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-01
授权号 ：
CN216427484U
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
廖佳王猛
申请人 ：
北京左文科技有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区文化园西路8号院4号楼4层502
代理机构 ：
深圳市神州联合知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王志强
优先权 ：
CN202122651529.8
主分类号 ：
C30B25/12
IPC分类号 ：
C30B25/12 C30B25/16 C30B29/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/12
衬底夹持器或基座
法律状态
2022-05-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
