一种高亮度低光衰的发光二极管
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摘要
本实用新型涉及高亮度发光二极管技术领域,特别是一种高亮度低光衰的发光二极管,包括底座,所述底座顶面的中部设置有发光二极管本体,所述底座顶面的边缘开设有放置槽,所述放置槽的内部固定连接有锥形盘,所述锥形盘的内壁设置有反光层,所述底座底端的内部留有空腔。本实用新型的优点在于:通过发光二极管本体放置于底座的顶端,锥形盘底端放置于放置槽的内部,而透明密封体完全充满整个空腔、若干通孔和锥形盘,且锥形盘的内壁设置有反光层,进而发光二极管本体通电发光,光线通过透明密封体射向反光层,进而对发光二极管本体发出的光源进行汇聚,从而实现了光线汇聚的目的,同时光线汇聚后,可以降低光衰,提高照射距离。
基本信息
专利标题 :
一种高亮度低光衰的发光二极管
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202122702600.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-11-06
授权号 :
CN216413106U
授权日 :
2022-04-29
发明人 :
刘锦辉
申请人 :
珠海市绿健光电有限公司
申请人地址 :
广东省珠海市香洲区翠珠四街51号4层4A-12房
代理机构 :
郑州卓豫德鑫知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
吉飞虎
优先权 :
CN202122702600.0
主分类号 :
H01L33/48
IPC分类号 :
H01L33/48 H01L33/58 H01L33/60 H01L33/64
法律状态
2022-04-29 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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