基于缺陷圆盘耦合纳米棒结构SPR传感器
授权
摘要
本实用新型公开一种基于缺陷圆盘耦合纳米棒结构SPR传感器，包括二氧化硅衬底，以及设置在二氧化硅衬底的至少一个金属纳米单元；每个金属纳米单元由金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒组成；金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒之间存在间隙；金属纳米缺陷圆盘为边缘带有的矩形缺口的圆形；金属纳米棒为矩形；金属纳米缺陷圆盘上的矩形缺口朝向金属纳米棒方向，且矩形缺口的宽边中心线与金属纳米棒的宽边中心线的中线垂直。本实用新型通过金属纳米缺陷圆盘和金属纳米棒产生偶极子，两偶极子相互耦合产生一个表面等离子共振峰。通过改变金属纳米单元的几何参数，可以实现表面等离子共振的共振强度及共振波长位置的调控，并获得高灵敏度。
基本信息
专利标题 ：
基于缺陷圆盘耦合纳米棒结构SPR传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122754551.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-11
授权号 ：
CN216284931U
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
曾丽珍徐燕萍肖功利杨宏艳
申请人 ：
桂林电子科技大学
申请人地址 ：
广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
代理机构 ：
桂林市持衡专利商标事务所有限公司
代理人 ：
陈跃琳
优先权 ：
CN202122754551.5
主分类号 ：
G01N21/59
IPC分类号 ：
G01N21/59 G01N21/01
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/17
入射光根据所测试的材料性质而改变的系统
G01N21/59
透射率
法律状态
2022-04-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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