真空吸笔
授权
摘要
本申请公开了一种真空吸笔，该真空吸笔包括依次连通的主体、连接管和吸盘，其中吸盘包括相连接的第一伞状结构和第二伞状结构，第一伞状结构的边缘与轴线之间的夹角大于第二伞状结构的边缘与轴线之间的夹角；主体用于与真空系统连通，使得第一伞状结构能够在负压作用下发生形变并贴合于晶圆表面。本申请提供的真空吸笔，通过将拾取端的吸盘设计为两段式伞状结构，不仅增大了吸盘与晶圆之间的接触面积，减小了晶圆所受的压强；还确保晶圆受力均匀，不易发生崩边和破碎等问题。该真空吸笔尤其适合于减薄后晶圆的拾取和转移。
基本信息
专利标题 ：
真空吸笔
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122816146.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-17
授权号 ：
CN216288363U
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
张志文马兰秀高建
申请人 ：
北京燕东微电子科技有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区经海四路51号院1号楼5层516
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡纯
优先权 ：
CN202122816146.1
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-04-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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