新型芯片吸嘴
授权
摘要
本实用新型提供了一种新型芯片吸嘴，包括：杆部；吸嘴部，设置于所述杆部，所述吸嘴部为矩形结构；接触槽，形成于所述吸嘴部的下端面，并构成向内凹陷的矩形槽体结构；所述杆部和所述吸嘴部沿轴线形成贯通的第一通道。吸嘴部和接触槽均为矩形结构，且接触槽呈向内凹陷的槽体结构，能够保证吸取部分为芯片四周的无源区域(切割道)，完全避开有缘区，以保护芯片表面有源区空气桥不被吸嘴接触，从而达到保护芯片的目的。
基本信息
专利标题 ：
新型芯片吸嘴
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122821629.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-17
授权号 ：
CN216354130U
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
武春风魏浩刘林涛莫尚军
申请人 ：
航天科工微电子系统研究院有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市天府新区天府新经济产业园B区湖畔路北段269号
代理机构 ：
成都九鼎天元知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘世权
优先权 ：
CN202122821629.0
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-04-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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