一种用于石英晶片生产的浸蚀系统
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于石英晶片生产的浸蚀系统，涉及晶片生产加工技术领域，针对现有的部分石英晶片生产用浸蚀装置在使用时，搅拌机构的搅拌叶易与晶片产生磕碰，造成晶片的损伤，进而影响产品质量的问题，现提出如下方案，其包括浸蚀筒，所述浸蚀筒的底部内壁上转动设置有搅拌轴，且所述搅拌轴的周向侧壁上固定设置有搅拌叶，所述浸蚀筒的内部活动设置有承放架，且所述承放架呈环形筒状设置，所述承放架与搅拌叶呈套接设置，且所述承放架的周向内壁上开设有若干个贯通的并呈阵列分布的第一通孔。本实用新型结构新颖，实现了在石英晶片浸蚀处理过程中，承放架与搅拌叶的相对隔离，有利于提高浸蚀处理的效果和质量，适宜推广。
基本信息
专利标题 ：
一种用于石英晶片生产的浸蚀系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122966237.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-29
授权号 ：
CN216304034U
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
李利勇李宝郭金香邓晓娟
申请人 ：
迁安市金泽电子有限公司
申请人地址 ：
河北省唐山市迁安市迁安镇胡各庄村东
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122966237.3
主分类号 ：
C30B33/10
IPC分类号 ：
C30B33/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/08
侵蚀
C30B33/10
在溶液或熔体内
法律状态
2022-04-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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