一种基于磁场梯度优化的磁传感器位置校正方法
实质审查的生效
摘要

本发明提供了一种基于磁场梯度优化的磁传感器位置校正方法,包括在消磁码头安装直流线圈磁源,磁源在消磁码头平面内相对于待校正磁传感器理想位置以0.6m的步长沿x或y方向移动,计算以待校正磁传感器理想位置为中心0.6m*0.6m*0.6m位置偏差区域的磁场垂向分量,计算每次磁源位置改变时,位置偏差区域磁场垂向分量在x、y和z方向的平均梯度及磁源位置坐标,确定x、y和z方向的平均梯度最大的多个区域中与测得的磁场垂向分量误差最小的计算得到的磁场垂向分量,确定实际位置到理想位置距离的偏差矢量,从而根据偏差矢量Δr校正磁传感器的位置,由于通过移动磁源,使待校正的磁传感器位于磁源磁场梯度值大的位置,进一步提升磁传感器位置校正的精度。

基本信息
专利标题 :
一种基于磁场梯度优化的磁传感器位置校正方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114415075A
申请号 :
CN202210007860.2
公开(公告)日 :
2022-04-29
申请日 :
2022-01-05
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
吴轲娜王玉芬周国华唐烈峥刘胜道尚启星朱岿高俊吉
申请人 :
中国人民解放军海军工程大学
申请人地址 :
湖北省武汉市硚口区解放大道717号
代理机构 :
北京众达德权知识产权代理有限公司
代理人 :
田灵菲
优先权 :
CN202210007860.2
主分类号 :
G01R33/02
IPC分类号 :
G01R33/02  G01B7/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
法律状态
2022-05-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 33/02
申请日 : 20220105
2022-04-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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