一种电子器件无损开盖及封装测试再利用方法和系统
实质审查的生效
摘要
本发明提出了一种电子器件无损开盖及封装测试再利用方法和系统。所述电子器件为带有封装结构的集成芯片,所述方法包括:在芯片的封装上表面标记溶剂腐蚀区域;利用去封装溶剂将所述溶剂腐蚀区域对应的封装上表面进行腐蚀,获得腐蚀孔洞;其中,所述去封装溶剂为现有去封装常用去封装溶剂;以所述腐蚀孔洞为基准,利用夹持工具和剥离工具以未腐蚀的封装上表面为夹持点,揭开所述芯片的封装结构的上盖;对所述集成芯片的内部电路部分进行性能测试和故障修复,在所述集成芯片修复后对所述集成芯片进行封装。所述系统包括与所述方法步骤对应的模块。
基本信息
专利标题 :
一种电子器件无损开盖及封装测试再利用方法和系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114420602A
申请号 :
CN202210035236.3
公开(公告)日 :
2022-04-29
申请日 :
2022-01-13
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
林梓梁周雄伟方智武李红生廖慧容
申请人 :
深圳市东方聚成科技有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市宝安区新桥街道象山社区新发东路27号1栋二层
代理机构 :
北京广技专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
安琪
优先权 :
CN202210035236.3
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67 H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20220113
申请日 : 20220113
2022-04-29 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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