一种基于电光预失真器的高线性硅基调制器芯片和高线性方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于电光预失真器的高线性硅基调制器芯片和高线性方法。该芯片基于硅光集成工艺,集成了一个光功分器、一个主调制器、一个电光预失真器和一个低带宽锗硅光电探测器。输入光信号经光功分器分成两路并分别输入到主调制器和电光预失真器中。射频双音信号经电功分器分成两路,其中一路调制电光预失真器,经片上低带宽锗硅探测器解调出的二阶交调信号放大后与另一路射频双音信号经电合成器调制主调制器。调控光功分器和电功分器的功率分配比,抑制主调制器产生三阶交调信号,提高其调制线性度,从而极大地提高所在模拟光链路的无杂散动态范围。
基本信息
专利标题 :
一种基于电光预失真器的高线性硅基调制器芯片和高线性方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114527535A
申请号 :
CN202210035658.0
公开(公告)日 :
2022-05-24
申请日 :
2022-01-13
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
张强余辉
申请人 :
之江实验室
申请人地址 :
浙江省杭州市余杭区文一西路1818号人工智能小镇10号楼
代理机构 :
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 :
郑海峰
优先权 :
CN202210035658.0
主分类号 :
G02B6/12
IPC分类号 :
G02B6/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导;包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/10
光波导式的
G02B6/12
集成光路类型
法律状态
2022-06-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02B 6/12
申请日 : 20220113
申请日 : 20220113
2022-05-24 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载