一种基于金属配合物的单分子层忆阻器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种基于金属配合物的单分子层忆阻器及其制备方法，包含：导电基底，所述导电基底的在其上表面镀有半透明的ITO薄膜；顶电极，所述顶电极为含有镓铟共晶液态合金的针尖，以及包覆在所述针尖外表面的Ga氧化物层；有机分子膜，所述有机分子膜连接于所述导电基底和所述顶电极之间，所述有机分子膜是金属配合物分子的单分子层；固化胶，对所述导电基底、所述顶电极、所述有机分子膜封装。
基本信息
专利标题 ：
一种基于金属配合物的单分子层忆阻器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420841A
申请号 ：
CN202210040989.3
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
洪文晶田应宇陈李珏刘天硕张浩
申请人 ：
厦门大学
申请人地址 ：
福建省厦门市思明南路422号
代理机构 ：
厦门原创专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴金森
优先权 ：
CN202210040989.3
主分类号 ：
H01L51/00
IPC分类号 ：
H01L51/00
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/00
申请日 : 20220114
申请日 : 20220114
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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