一种串联二极管器件并联均压电路及参数设计方法
实质审查的生效
摘要

本发明提供了一种串联二极管器件并联均压电路及参数设计方法,属于电路技术领域。电路包括至少两个串联的均压单元,每一所述均压单元包括二极管、与二极管并联的平衡电阻以及与二极管并联的由缓冲电容和阻尼电阻串联构成的支路。本发明同时考虑了对地分布电容和对高压端分布电容;推导出的非等参数RC均压方法,不仅包含缓冲电容参数关系,还包括阻尼电阻参数关系及上限;提高了二极管器件的电压利用率,选取的值对各二极管反向电压有较大调节作用的同时,对整流器损耗影响较小;使得动、静态特性存在差异的二极管器件在串联后能够安全稳定运行且付出较低的功耗与成本,增加了电源系统的可靠性。

基本信息
专利标题 :
一种串联二极管器件并联均压电路及参数设计方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114552619A
申请号 :
CN202210055520.7
公开(公告)日 :
2022-05-27
申请日 :
2022-01-18
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
马少翔李志恒朱帮友张鸿淇张明
申请人 :
华中科技大学
申请人地址 :
湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
代理机构 :
华中科技大学专利中心
代理人 :
尹丽媛
优先权 :
CN202210055520.7
主分类号 :
H02J3/36
IPC分类号 :
H02J3/36  H02J3/28  H02M1/06  
法律状态
2022-06-14 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02J 3/36
申请日 : 20220118
2022-05-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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