半导体集成电路器件及固定其阱势的设计方法
专利权的终止
摘要
从库中读取标准单元，并执行自动配置布线，从而配置电路。然后，在所配置的电路中搜索每一单元列以找出空区域。在搜索的单元列内的空区域中设置间隔单元或者填充单元。此时，利用间隔单元或者填充单元，固定单元列内标准单元的阱势。
基本信息
专利标题 ：
半导体集成电路器件及固定其阱势的设计方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1838411A
申请号 ：
CN200510121644.7
公开（公告）日 ：
2006-09-27
申请日 ：
2005-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
木下浩一井高康仁菅原毅
申请人 ：
株式会社东芝
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王永刚
优先权 ：
CN200510121644.7
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L21/82 G06F17/50
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2017-02-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101701026079
IPC(主分类) : H01L 27/02
专利号 : ZL2005101216447
申请日 : 20051216
授权公告日 : 20091028
终止日期 : 20151216
号牌文件序号 : 101701026079
IPC(主分类) : H01L 27/02
专利号 : ZL2005101216447
申请日 : 20051216
授权公告日 : 20091028
终止日期 : 20151216
2009-10-28 ：
授权
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-09-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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