一种键合丝保护层的制作方法
公开
摘要
本发明属于键合丝技术领域，公开了一种键合丝保护层的制作方法。该方法包括以下步骤：在引线键合完成后，将引线浸没于低于0℃的低温介质中，使引线温度降至与低温介质一致；然后将引线立即放入含有有机包覆剂气体的氛围中，含有有机包覆剂气体的氛围最初的气压为0.01～0.1MPa，温度在室温至400℃范围内，接着提高气压至0.1～1MPa，反应使有机包覆剂在键合丝表面快速冷却，形成致密的保护层。本发明采用有机物蒸汽进行包覆，键合丝热导率高，加上低温，会诱使有机物在键合丝表面析出形成包覆层，而且是在引线键合试样快速放入蒸汽室内后，快速升压，也会诱使有机物在键合丝表面析出形成包覆层。
基本信息
专利标题 ：
一种键合丝保护层的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566437A
申请号 ：
CN202210058005.4
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨冠南张海德周志强崔成强张昱
申请人 ：
广东工业大学
申请人地址 ：
广东省广州市越秀区东风东路729号
代理机构 ：
佛山市君创知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张燕玲
优先权 ：
CN202210058005.4
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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