一种基于CMOS的可调谐差分输入共源共栅低噪声放大器
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摘要
本发明提出了一种基于CMOS的可调谐差分输入共源共栅低噪声放大器,采用前向体偏置技术来调整反馈系数,实现可调谐电路;输入级是差分结构的共源共栅放大器,有较高的增益、共模抑制比,具有很强的抗干扰能力,采用MOS管做电阻,提高电源电压抑制比;输出级采用以N管为负载的共源放大器,在提高增益的前提下增大输出摆幅;偏置电路为镜像电流源,为运放晶体管提供合适的工作电压。运算放大器保证直流工作点,提高了增益和次级点的频率;从而提高相位裕度,增强稳定性。与基于三极管的低噪声放大器相比,本发明可实现可调谐,并具有较高的增益、共模抑制比、抗干扰能力,同时能提高电源电压抑制比,增大输出摆幅。
基本信息
专利标题 :
一种基于CMOS的可调谐差分输入共源共栅低噪声放大器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114079428A
申请号 :
CN202210060182.6
公开(公告)日 :
2022-02-22
申请日 :
2022-01-19
授权号 :
CN114079428B
授权日 :
2022-04-22
发明人 :
姚静石刘成鹏陈阳平苏黎明
申请人 :
成都明夷电子科技有限公司
申请人地址 :
四川省成都市高新区德华路333号谢威中心A座9层
代理机构 :
成都君合集专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
尹新路
优先权 :
CN202210060182.6
主分类号 :
H03F3/45
IPC分类号 :
H03F3/45 H03F1/26 H03F1/30
法律状态
2022-04-22 :
授权
2022-03-11 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03F 3/45
申请日 : 20220119
申请日 : 20220119
2022-02-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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