基于共源共栅结构的电容交叉耦合跨导增强低噪声放大器
实质审查的生效
摘要
本发明属于无线通信技术领域,提供一种基于共源共栅结构的改进的电容交叉耦合型跨导增强低噪声放大器,用以解决现有基于共源共栅结构的低噪声放大器存在的高频增益衰减和低频稳定性差的问题。本发明由差分共源共栅结构电路与改进的电容交叉耦合型跨导增强结构构成,通过在差分共源共栅结构的共栅管栅极和源极添加串联电感,调节交叉耦合电容反馈通路的阻抗,以及共栅管和共源管之间的匹配,使电容交叉耦合型跨导增强共源共栅结构在毫米波频端的增益显著提升;同时使用大的反馈电容,用电容引起的信号泄露提高共源共栅结构的稳定性。综上,本发明提供的改进的电容交叉耦合型跨导增强低噪声放大器具有更高的高频增益和更优的稳定性。
基本信息
专利标题 :
基于共源共栅结构的电容交叉耦合跨导增强低噪声放大器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114513176A
申请号 :
CN202111645851.8
公开(公告)日 :
2022-05-17
申请日 :
2021-12-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
康凯杨丝雨赵晨曦刘辉华余益明吴韵秋
申请人 :
电子科技大学
申请人地址 :
四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
代理机构 :
电子科技大学专利中心
代理人 :
甘茂
优先权 :
CN202111645851.8
主分类号 :
H03F3/45
IPC分类号 :
H03F3/45 H03F3/19 H03F1/26 H03F1/08
法律状态
2022-06-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03F 3/45
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-05-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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