用于制造集成电路的激光辅助外延和蚀刻
公开
摘要
本公开涉及用于制造集成电路的激光辅助外延和蚀刻。一种方法包括：将晶圆置于生产室中；提供加热源以加热晶圆；使用激光投影仪将激光束投射到晶圆上。该方法还包括：当晶圆被加热源和激光束两者加热时，执行从外延工艺中选择的工艺以在晶圆上生长半导体层，并且执行蚀刻工艺以蚀刻半导体层。
基本信息
专利标题 ：
用于制造集成电路的激光辅助外延和蚀刻
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566444A
申请号 ：
CN202210064911.5
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨育佳章勋明罗唯仁
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
桑敏
优先权 ：
CN202210064911.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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