一种硅基OLED制备阳极结构的方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种硅基OLED制备阳极结构的方法，属于显示技术领域。硅基OLED制备阳极结构的方法包括：步骤一：在硅基背板上生成阳极反射层，阳极反射层的相邻两个第一台阶之间存在间隙；步骤二：在阳极反射层背离硅基背板的一侧上生成第一预设厚度的像素限定层，像素限定层填充阳极反射层的间隙且厚度超出阳极反射层的上表面；步骤三：通过研磨工艺将像素限定层的表面进行研磨，使像素限定层背离阳极反射层的一端表面水平且不能露出阳极反射层，且像素限定层的整体厚度大于阳极反射层的整体厚度，再将像素限定层进行图形化贯通开设PDL孔，PDL孔与第一台阶相对应；步骤四：依次制作阳极反射层所需的有机发光层、共阴极层和封装层。像素限定层填充间隙，通过该工艺方法消除第一台阶对共阴极层的影响，保证共阴极层不发生断线。
基本信息
专利标题 ：
一种硅基OLED制备阳极结构的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497430A
申请号 ：
CN202210066242.5
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
程保龙周文斌王卫卫冯峰李高敏孙剑高裕弟
申请人 ：
昆山梦显电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市昆山市晨丰路188号
代理机构 ：
北京远智汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
于丽平
优先权 ：
CN202210066242.5
主分类号 ：
H01L51/56
IPC分类号 ：
H01L51/56 H01L51/52 H01L51/50 H01L27/32
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/56
申请日 : 20220120
申请日 : 20220120
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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