一种用于增强RFLDMOS的ESD防护性能的集成结构及其...
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种用于增强RFLDMOS的ESD防护性能的集成结构；包括半导体基底，所述半导体基底的上部设有半导体外延；所述半导体外延中具有增强注入区，所述增强注入区设置在所述源漏注入区和所述体接触注入区的下端，所述半导体外延的一侧固定设有深扩散区，所述半导体外延和所述深扩散区内形成有活跃埋层和遮蔽埋层，所述活跃埋层设置在所述遮蔽埋层的下部，所述半导体外延上设有多晶硅栅极，所述多晶硅栅极上设有多层场板硅栅极，所述多层场板硅栅极的一侧贴合在所述漂移区上；本发明有效提升开启电流；提高了维持电压；增强了泄放能力，提高了最大泄放电流；具备良好的可制造性与兼容性。
基本信息
专利标题 ：
一种用于增强RFLDMOS的ESD防护性能的集成结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429951A
申请号 ：
CN202210079247.1
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2022-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姜一波杨帆邢红飞孙丽丽杜文汉
申请人 ：
常州鼎先电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市新北区辽河路666号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210079247.1
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20220124
申请日 : 20220124
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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