一种退火方法及系统
实质审查的生效
摘要
本发明提出了一种退火方法及系统，所述方法应用于UVC LED结构，所述UVC LED结构包括自上而下依次铺设的P型层、UVC MQW层、N型层和基层，所述退火方法包括：对UVCLED结构中的P型层进行激光照射，所述P型层为高Al组份的P‑AlGaN层，所述Al组份大于0.5；通过所述激光照射对所述P型层中的Mg‑H键进行激活。本发明的退火过程可在UVC芯片外延片开始做芯片制程前完成。本发明开创性的利用激光高能量，采用激光退火技术可以在短时间内对高Al组份的P‑AlGaN层中的Mg‑H键进行有效激活，提高激活效率，极大提升UVC MQW的发光效率。
基本信息
专利标题 ：
一种退火方法及系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497295A
申请号 ：
CN202210104450.X
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李宇翔
申请人 ：
安徽格恩半导体有限公司
申请人地址 ：
安徽省六安市金安区三十铺镇六安大学科技园A1楼
代理机构 ：
北京文慧专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
戴丽伟
优先权 ：
CN202210104450.X
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/32
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20220128
申请日 : 20220128
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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