一种适用于多端口静电保护MOS结构
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种适用于多端口静电保护MOS结构，属于半导体器件及制造领域。在该适用于多端口静电保护MOS结构中，通过在电源阳极、电源阴极和I/O端口形成的NPN电流通道、PN Diode电流通道，实现电源阳极、电源阴极和I/O端口之间的全方位保护；此外，与相关技术中设置I/O端口到电源阴极、I/O端口到电源阳极和电源阳极到电源阴极对应的多个ESD器件保护相比，本申请能够通过单个静电保护MOS结构就实现上述多端口静电保护需求，减少了ESD器件数量，进一步节约了芯片面积。
基本信息
专利标题 ：
一种适用于多端口静电保护MOS结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446948A
申请号 ：
CN202210104671.7
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
范炜盛
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
戴广志
优先权 ：
CN202210104671.7
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20220128
申请日 : 20220128
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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