一种静电保护GGNMOS结构
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种静电保护GGNMOS结构，属于半导体器件及制造领域。基于SOI工艺，该结构引入一圈N型阱，并在N型阱中形成P型重掺杂区和N型重掺杂区交替的块状掺杂区，N型阱处的P型重掺杂区、N型阱、P型阱与源端处的N型重掺杂区形成SCR结构，打开泄放电流；N型阱处的P型重掺杂区、N型重掺杂区与漏端的N型重掺杂区短接形成阳极，源端的N型重掺杂区与栅端短接形成阴极，SCR结构用于ESD电压加到阳极时打开泄放电流，增加了额外的ESD电流泄放通道，提高了SOI GGNMOS的ESD防护能力。
基本信息
专利标题 ：
一种静电保护GGNMOS结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497030A
申请号 ：
CN202210096916.6
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
范炜盛
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
戴广志
优先权 ：
CN202210096916.6
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20220127
申请日 : 20220127
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
