本发明公开了一种编程方法、系统、装置，编程方法包括：获取缓存中的编程数据以及编程数据对应在多比特非易失性存储器中的目标区域；从多个电压挡位中选定一个电压挡位作为目标电压挡位；根据编程数据、目标电压挡位以及编程数据与目标区域中存储单元的地址的对应关系，对编程数据在目标区域中对应的全部存储单元进行编程校验；当存在编程校验不通过的存储单元，根据缓存中的编程数据和目标电压挡位对目标区域中的全部存储单元进行编程，因为在进行编程校验和编程时都是根据选中的目标电压挡位对目标区域中的全部存储单元进行操作，所以可以减少加上存储阵列上的模拟电压的切换次数，从而降低在编程过程中的功耗和减少编程的时间。