一种硅片金属含量测试方法和设备
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种硅片金属含量测试方法和设备。本发明实施例的硅片金属含量测试方法，包括以下步骤：获取目标硅片的第一重量，其中，所述目标硅片表面生长有多晶硅层；刻蚀所述目标硅片表面的多晶硅，并获取刻蚀后的所述目标硅片的第二重量；检测刻蚀后的所述目标硅片表面的金属离子含量；根据所述金属离子含量和所述目标硅片的刻蚀量确定所述目标硅片的金属离子状态，其中，所述刻蚀量是根据所述第一重量和所述第二重量确定的。本发明实施例能够确定目标硅片的金属离子状态，有助于提高对于目标硅片中金属含量和分布的检测精度。
基本信息
专利标题 ：
一种硅片金属含量测试方法和设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114459946A
申请号 ：
CN202210112253.2
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-01-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵莉珍程远梅温涛
申请人 ：
西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾春天
优先权 ：
CN202210112253.2
主分类号 ：
G01N5/04
IPC分类号 ：
G01N5/04 G01N27/626 H01L21/66
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N5/00
用称量的方法分析材料，例如称量从气体或液体分离出的微粒
G01N5/04
通过除去某种组分，例如通过蒸发并称量其剩余物
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 5/04
申请日 : 20220129
申请日 : 20220129
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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