一种基于MEMS工艺的新型微带环行器及其加工方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于MEMS工艺的新型微带环行器及其加工方法，其结构包括从上到下依次设置的永磁体、介质基板、铁底板，所述介质基板包括硅晶圆、硅晶圆上表面依次设有聚酰亚胺薄膜、上Cr/Au双层膜、上镀Au层，上Cr/Au双层膜上蚀刻有上表面电路，上镀Au层通过陶瓷基片与永磁体粘接；硅晶圆下表面设有下Cr/Au双层膜，其上蚀刻有下表面电路，硅晶圆中部还蚀刻有一铁氧体槽，下表面电路下方还设有一下镀Au层。本发明提出了一种新结构及加工方法，无需两片硅晶圆，无需进行晶圆级金属键合，能有效降此类环行器的工艺步骤、复杂度和成本，减小工艺冗余度，且能减小器件的尺寸，满足小型化的发展需求。
基本信息
专利标题 ：
一种基于MEMS工艺的新型微带环行器及其加工方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114447552A
申请号 ：
CN202210123712.7
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-02-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李晓宇高春燕田珺宏胡艺缤张志红
申请人 ：
西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
申请人地址 ：
四川省绵阳市滨河北路西段268号
代理机构 ：
绵阳市博图知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黎仲
优先权 ：
CN202210123712.7
主分类号 ：
H01P1/38
IPC分类号 ：
H01P1/38 H01P11/00 B81C1/00 B81B7/02 B81B7/00
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01P 1/38
申请日 : 20220210
申请日 : 20220210
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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