电子单元阵列及器件、人工神经网络
公开
摘要
本发明实施例公开了一种电子单元阵列及器件，该电子单元阵列包括m×n个电子单元；每个电子单元包括开关场效应晶体管、电容器、并联双栅场效应晶体管及电导线；开关场效应晶体管的源极端口或漏极端口中的其中一个电连接电容器的第一端口及并联双栅场效应晶体管的第一栅极端口；开关场效应晶体管的漏极端口或源极端口中的其中一个电连接第一电导线；电容器的第二端口连接第二电导线；并联双栅场效应晶体管的源极端口或漏极端口中的其中一个电连接第二电导线；并联双栅场效应晶体管的漏极端口或源极端口中的其中一个电连接第三电导线；并联双栅场效应晶体管的第二栅极端口电连接第四电导线；开关场效应晶体管的栅极端口电连接第五电导线。
基本信息
专利标题 ：
电子单元阵列及器件、人工神经网络
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114584132A
申请号 ：
CN202210127637.1
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-02-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡玉申王文
申请人 ：
香港科技大学
申请人地址 ：
中国香港九龙清水湾香港科技大学
代理机构 ：
深圳中细软知识产权代理有限公司
代理人 ：
袁文英
优先权 ：
CN202210127637.1
主分类号 ：
H03K19/177
IPC分类号 ：
H03K19/177 G06N3/063 H01L27/07
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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