一种适用于太赫兹波段35μm~36μm的聚四氟乙烯基底增...
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种适用于太赫兹波段35μm～36μm的聚四氟乙烯基底增透膜及其制备方法，增透膜由聚四氟乙烯基底及其表面的聚4‑甲基‑1‑戊烯膜层构成，其制备方法是在聚四氟乙烯基底表面通过离子溅射镀膜方式生成聚4‑甲基‑1‑戊烯膜层。该增透膜相对现有增透膜，既减少了膜层数目，又简化了聚四氟乙烯基底材料，且增透膜在35μm～36μm波段的平均透过率较高，平均反射率较低，同时具有较好的硬度和耐磨性，能够防止增透膜在使用过程中易划伤等情况的出现。
基本信息
专利标题 ：
一种适用于太赫兹波段35μm~36μm的聚四氟乙烯基底增透膜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114527522A
申请号 ：
CN202210129436.5
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-02-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姜海范鹏熊峰刘俞含
申请人 ：
湖南麓星光电科技有限公司
申请人地址 ：
湖南省长沙市天心区新岭路62号湖南生态医博园（天心软件产业园）A区A-1栋101
代理机构 ：
长沙市融智专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
张伟
优先权 ：
CN202210129436.5
主分类号 ：
G02B1/111
IPC分类号 ：
G02B1/111
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B1/00
按制造材料区分的光学元件；用于光学元件的光学涂层
G02B1/10
对光学元件表面涂覆或对它进行表面处理后所产生的光学涂层
G02B1/11
抗反射涂层
G02B1/111
使用一个或多个有机材料层
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02B 1/111
申请日 : 20220211
申请日 : 20220211
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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