一种晶粒细化层深度预测方法及系统
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种晶粒细化层深度预测方法，用于分析与测量技术，步骤：获取数据集；数据集为不同切削参数下的切削力、晶粒细化层深度hSDL、工件直径数据集合；根据数据集定义形成单位面积加工表面消耗的能量AEPC；根据hSDL和AEPC的函数关系构建晶粒细化层深度预测模型；将数据集代入晶粒细化层深度预测模型进行模型参数拟合；将待测数据输入拟合完参数的晶粒细化层深度预测模型，得到目标hSDL。本发明通过切削力数据预测hSDL，避免破坏性制样等繁琐过程，减小经济损失；建立了切削参数与hSDL的关系，为通过改变切削参数调控hSDL提供理论指导。
基本信息
专利标题 ：
一种晶粒细化层深度预测方法及系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114492064A
申请号 ：
CN202210129819.2
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-02-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王西彬白翌帆刘志兵刘书尧王永陈洪涛宋慈潘小雨王湃钱泳豪
申请人 ：
北京理工大学
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村南大街5号
代理机构 ：
北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杜娟
优先权 ：
CN202210129819.2
主分类号 ：
G06F30/20
IPC分类号 ：
G06F30/20 G01N23/203
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/20
设计优化、验证或模拟
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/20
申请日 : 20220211
申请日 : 20220211
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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