方波热成像测量低热导率材料内部缺陷深度的方法
实质审查的生效
摘要

一种方波热成像测量低热导率材料内部缺陷深度的方法,包括:S1利用加热设备对被检测物体的表面进行预设时长的加热,并通过红外热像仪按照预设的采集频率对被检测物体表面加热前至降温结束过程的热图序列进行采集;S2根据热图序列中的温度随时间变化的数据提取每个像素点温度下降阶段随时间变化的曲线;S3对温度随时间变化的曲线乘以进行温度重建,平滑处理后得到实验数据最小峰特征时间;S4根据已知的热扩散系数和加热时间基于方波激励表面温度理论解进行理论数值解析,得到不同缺陷深度或厚度与其对应的理论最小峰特征时间经过对数变换后的线性关系;S5将得到的实验数据最小峰特征时间代入线性关系中反演出被检测物体中缺陷深度或厚度。

基本信息
专利标题 :
方波热成像测量低热导率材料内部缺陷深度的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114487015A
申请号 :
CN202210134543.7
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-02-14
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陶宁吴卓桥王黎祁劲容马奕娇杨雪张存林
申请人 :
首都师范大学
申请人地址 :
北京市海淀区西三环北路105号
代理机构 :
北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司
代理人 :
孙皓晨
优先权 :
CN202210134543.7
主分类号 :
G01N25/72
IPC分类号 :
G01N25/72  G01B11/06  G01B11/22  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N25/00
应用热方法测试或分析材料
G01N25/72
测试缺陷的存在
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 25/72
申请日 : 20220214
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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