方波激励红外热波成像测量样品缺陷深度的方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种方波激励红外热波成像测量样品缺陷深度的方法，该方法包括：步骤A，对待测样品通过其表面进行方波加热；步骤B，得到每一像素点的随时间变化的降温数据；步骤C，得到温度对比度数据序列；步骤D，对于温度对比度数据序列，进行曲线拟合得到连续曲线，将连续曲线对时间求导，得到曲线，由曲线的拐点得到峰值时间，进而得到实验峰值特征时；步骤E，获取峰值特征时间Δt随缺陷深度L变化的线性模型；步骤F，将Δt带入到线性模型，得到待测样品内部缺陷的深度L0。本发明能够实现对大深度缺陷的精确测量，具有较强的实用价值。
基本信息
专利标题 ：
方波激励红外热波成像测量样品缺陷深度的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114354689A
申请号 ：
CN202111658161.6
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陶宁王黎吴卓桥陈思耘杨雪冯立春张存林
申请人 ：
首都师范大学
申请人地址 ：
北京市海淀区西三环北路105号
代理机构 ：
北京清诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
何怀燕
优先权 ：
CN202111658161.6
主分类号 ：
G01N25/72
IPC分类号 ：
G01N25/72
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N25/00
应用热方法测试或分析材料
G01N25/72
测试缺陷的存在
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 25/72
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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