一种精确控制ITO薄膜方块电阻的方法
公开
摘要
本发明是关于一种精确控制ITO薄膜方块电阻的方法，其包括:控制载流子浓度和迁移率来调控电阻率，在ITO薄膜厚度偏差不变或变大的情况下，实现对ITO薄膜方块电阻的调控。本发明通过控制载流子浓度和迁移率，可以实现对电阻率的调控，在ITO薄膜厚度偏差不变的情况下，则可以实现对方块电阻的调控。通过采用本发明的方法，可以制备得到性能优异的加热电阻，并且方块电阻偏差可控制在较小范围内。
基本信息
专利标题 ：
一种精确控制ITO薄膜方块电阻的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114574831A
申请号 ：
CN202210180918.3
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-02-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金扬利陈玮王琪徐博
申请人 ：
中国建筑材料科学研究总院有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区管庄东里1号
代理机构 ：
北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孟阿妮
优先权 ：
CN202210180918.3
主分类号 ：
C23C14/54
IPC分类号 ：
C23C14/54 C23C14/35 C23C14/08 G09F9/30 H05B3/00 H05B3/02 H05K7/20
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/54
镀覆工艺的控制或调节
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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