基于非易失存储器件的存内计算电路和方法
公开
摘要
本发明涉及集成电路技术领域，涉及一种基于非易失存储器件的存内计算电路和方法，电路包括基于非易失存储器件的单元电路，利用一个以上的单元电路构成阵列电路，阵列电路用于存内计算；单元电路中，非易失存储器件一端与位线BL相连，非易失存储器件另一端与第一NMOS管M1漏极相连；第一NMOS管M1源极与第二NMOS管M2的漏极相连，第一NMOS管M1栅极与第二位线WLB相连；第二NMOS管M2源极与源线SL相连，第二NMOS管M2栅极与第一位线WL相连。本发明所实现的存内计算具有高集成度、低功耗、高性能的优点，可以用于神经网络运算的加速等多种应用。
基本信息
专利标题 ：
基于非易失存储器件的存内计算电路和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114627937A
申请号 ：
CN202210185373.5
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李威阮爱武尹自强吴方明杜涛
申请人 ：
成都市硅海武林科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市郫都区德源镇(菁蓉镇)创客公园12栋
代理机构 ：
成都东恒知盛知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
罗江
优先权 ：
CN202210185373.5
主分类号 ：
G11C16/08
IPC分类号 ：
G11C16/08 G11C16/10 G11C16/24 G11C16/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/08
地址电路；译码器；字线控制电路
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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