CMOS图像传感器及其形成方法
公开
摘要
一种CMOS图像传感器及其形成方法，其中，CMOS图像传感器的形成方法包括：形成衬底、位于衬底上的若干感光掺杂层、位于所述感光掺杂层上的隔离层以及位于隔离层上的有源层，所述衬底包括若干相互分立的像素区，各所述感光掺杂层分别位于各所述像素区上；在所述有源层内和有源层上形成电学器件；在所述隔离层以及有源层内形成互连结构，所述互连结构使所述感光掺杂层和所述电学器件电连接。所述CMOS图像传感器的形成方法同时增大了感光区和读取电路区的工作面积，从而提升了器件性能。
基本信息
专利标题 ：
CMOS图像传感器及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582903A
申请号 ：
CN202210192661.3
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘俊文
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐文欣
优先权 ：
CN202210192661.3
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
