一种高增益的带间级联激光器及制备方法
公开
摘要
本发明涉及一种高增益的带间级联激光器的制备方法，包括步骤：结晶生长衬底，将衬底在设定温度进行高温脱氧，进一步升高衬底温度，将衬底在保护气体下除气设定时长；降低衬底温度至目标值，将衬底放入MBE设备中，采用分子束外延生长的方式从上往下依次生长超晶格下限制层、第一波导层、级联区、第二波导层、超晶格上限制层和上接触层。本发明的有益效果是：提供一种新的有源区结构的带间级联激光器，该激光器以GaSb材料为衬底，InAs/AlSb超晶格为限制层，在级联区引入GaAsSb/InAs/InGaAsⅡ型W型异质结构(有源区)，这种结构能大幅度提升波函数重叠，降低俄歇复合，带来极大的激光器光学增益，同时也能降低激光器的阈值电流和功耗，提高高温下运行的能力。
基本信息
专利标题 ：
一种高增益的带间级联激光器及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566870A
申请号 ：
CN202210197116.3
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-03-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
毕岗杜超超
申请人 ：
浙大城市学院
申请人地址 ：
浙江省杭州市拱墅区湖州街51号
代理机构 ：
杭州九洲专利事务所有限公司
代理人 ：
张羽振
优先权 ：
CN202210197116.3
主分类号 ：
H01S5/343
IPC分类号 ：
H01S5/343 H01S5/22
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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