一种宽调谐的带间级联激光器的制作方法
公开
摘要
本发明涉及一种宽调谐的带间级联激光器的制作方法，包括步骤：将衬底进行高温脱氧，然后将衬底升至设定温度，在Sb保护下除气设定时长；待衬底温度降至设定温度后，将衬底放入MBE设备中，通过分子束外延技术在衬底上自下往上依次制作底部外限制层、超晶格下限制层、下波导层、设定周期数量的超晶格级联区、上波导层、超晶格上限制层、顶部外限制层和上接触层。本发明的有益效果是：以n+型InGaSb材料为外限制层，InAs/AlSb超晶格为中间限制层；采用新的有源区结构能更好地错开GaInSb/InAs/GaSb有源区厚度，进而能更好地错开各有源区的光学增益范畴，增加总增益的增益宽度，提高激光器在高温下运行的能力。
基本信息
专利标题 ：
一种宽调谐的带间级联激光器的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628993A
申请号 ：
CN202210263907.1
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杜超超毕岗
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
代理机构 ：
杭州九洲专利事务所有限公司
代理人 ：
张羽振
优先权 ：
CN202210263907.1
主分类号 ：
H01S5/34
IPC分类号 ：
H01S5/34 H01S5/30
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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