一种两段式烧结制备高镍单晶三元材料的方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种两段式烧结制备高镍单晶三元材料的方法，属于锂离子电池技术领域。所述方法首先将镍钴锰氢氧化物前驱体与LiOH研磨混合均匀，得到混合粉末A；然后将混合粉末A加热至830℃～870℃，保温2～7h，然后以1.5℃/min～4℃/min的降温速率冷却至室温，得到粉末B；之后将粉末B置于球磨罐中，加入异丙醇进行球磨，球磨完成后抽滤、烘干，得到粉末C；最后将所述粉末C加热至700℃～750℃，保温6～15h，然后以1.5℃/min～4℃/min的降温速率冷却至室温，得到一种高镍单晶三元材料。所述方法在维持单晶形貌的同时发挥了优异的电化学性能。
基本信息
专利标题 ：
一种两段式烧结制备高镍单晶三元材料的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114411234A
申请号 ：
CN202210248047.4
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-03-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
穆道斌吴伯荣杨卓林赵志坤路士杰张新宇
申请人 ：
北京理工大学
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村南大街5号
代理机构 ：
北京理工大学专利中心
代理人 ：
张洁
优先权 ：
CN202210248047.4
主分类号 ：
C30B1/02
IPC分类号 ：
C30B1/02 C30B29/22 H01M4/505 H01M4/525 H01M10/0525
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B1/00
直接自固体的单晶生长
C30B1/02
热处理法，例如应变退火
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 1/02
申请日 : 20220314
申请日 : 20220314
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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